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Bourns

TISP61089ADR-S

主要参数包括类型 Dual Forward Conducting P-Gate Thyristors、最大转折电流(IBO) 11 A、额定重复断态电压(VDRM) 120 V、VDRM 下断态漏电流(IDRM) 5 uA、正向电压(Vf) 3 V、门极触发电压(Vgt) 2.5 V,采用 SOIC-8 封装。

基本资料

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品牌 / 制造商
Bourns
产品类别
SCRs
产品系列
TISP61089
封装
SOIC-8
安装方式
表面贴装(SMD/SMT)
包装方式
剪切带
RoHS
符合(来源记录)

技术参数

17 项参数
最大转折电流(IBO)
11 A
额定重复断态电压(VDRM)
120 V
VDRM 下断态漏电流(IDRM)
5 uA
正向电压(Vf)
3 V
门极触发电压(Vgt)
2.5 V
门极触发电流(Igt)
- 5 uA
最大维持电流(Ih)
- 150 mA
工作温度范围
-40~85 °C
转折电压(VBO)
- 57 V
额定电流
5 uA
高度
2.2 mm
长度
5.6 mm
展开更多参数(5 项)
类型
Dual Forward Conducting P-Gate Thyristors
宽度
5.6 mm
非重复通态电流
11 A
商品名称
TISP
单件重量
0.004762 oz

技术资料与历史库存、参考价供核对使用;当前供货、报价及交期请询价确认,参数相近不代表可直接替代。

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