ROHM Semiconductor
BSM300D12P4G101
主要参数包括通道数 2 个通道、技术 碳化硅（SiC）、类型 SiC Power Module、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 1.2 kV、连续漏极电流（Id） 291 A，采用 Module 封装。
基本资料
查看数据手册 ↗- 品牌 / 制造商
- ROHM Semiconductor
- 产品类别
- MOSFET Modules
- 封装
- Module
- 安装方式
- Screw Mount
- 包装方式
- 散装
技术参数
18 项参数- 技术
- 碳化硅（SiC）
- 晶体管极性
- N-Channel
- 通道数
- 2 个通道
- 漏源击穿电压（Vds）
- 1.2 kV
- 连续漏极电流（Id）
- 291 A
- 栅源电压（Vgs）
- - 4 V, + 21 V
- 栅源阈值电压（Vgs th）
- 4.8 V
- 工作温度范围
- -40～150 °C
- 耗散功率（Pd）
- 925 W
- 配置
- Dual
- 原产国家或地区
- 日本
- 下降时间
- 57 ns
展开更多参数（6 项）
- 长度
- 152 mm
- 上升时间
- 45 ns
- 类型
- SiC Power Module
- 典型关断延迟时间
- 270 ns
- 典型导通延迟时间
- 63 ns
- 宽度
- 62 mm
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。