Microchip / Microsemi
APT100GN120J
主要参数包括工作温度范围 - 55 C to + 150 C、技术 Si、产品 IGBT Silicon Modules、最大集电极－发射极电压（VCEO） 1.2 kV、集电极－发射极饱和电压 1.7 V、25°C 时连续集电极电流 153 A，采用 SOT-227-4 封装。
基本资料
查看数据手册 ↗- 制造商
- Microchip
- 品牌
- Microchip / Microsemi
- 产品类别
- IGBT Modules
- 封装
- SOT-227-4
- 安装方式
- Chassis Mount
- 包装方式
- 管装
- RoHS
- 符合（来源记录）
技术参数
15 项参数- 产品
- IGBT Silicon Modules
- 最大集电极－发射极电压（VCEO）
- 1.2 kV
- 集电极－发射极饱和电压
- 1.7 V
- 25°C 时连续集电极电流
- 153 A
- 栅射漏电流
- 600 nA
- 耗散功率（Pd）
- 446 W
- 工作温度范围
- -55～150 °C
- 高度
- 9.6 mm
- 长度
- 38.2 mm
- 工作温度范围
- - 55 C to + 150 C
- 技术
- Si
- 宽度
- 25.4 mm
展开更多参数（3 项）
- 最大栅射电压
- 30 V
- 商品名称
- ISOTOP
- 单件重量
- 1.058219 oz
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。