onsemi
FGD5T120SH
主要参数包括技术 Si、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 1.2 kV、集电极－发射极饱和电压 2.9 V、最大栅射电压 - 25 V, 25 V、25°C 时连续集电极电流 10 A，采用 DPAK-3 (TO-252-3) 封装。
基本资料
查看数据手册 ↗- 品牌 / 制造商
- onsemi
- 产品类别
- IGBTs
- 产品系列
- FGD5T120SH
- 封装
- DPAK-3 (TO-252-3)
- 安装方式
- 表面贴装（SMD/SMT）
- 包装方式
- 小卷盘
技术参数
14 项参数- 技术
- Si
- 配置
- Single
- 最大集电极－发射极电压（VCEO）
- 1.2 kV
- 集电极－发射极饱和电压
- 2.9 V
- 最大栅射电压
- - 25 V, 25 V
- 25°C 时连续集电极电流
- 10 A
- 耗散功率（Pd）
- 69 W
- 工作温度范围
- -55～150 °C
- 最大连续集电极电流（Ic）
- 10 A
- 组装国家或地区
- 中国
- 晶圆制造国家或地区
- 韩国
- 原产国家或地区
- 中国
展开更多参数（2 项）
- 栅射漏电流
- 400 nA
- 单件重量
- 0.009184 oz
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。