W63CH2MBVABE
Winbond
主要参数包括最大时钟频率 800 MHz、存储容量 4 Gbit、类型 SDRAM Mobile - LPDDR3、数据总线宽度 32 位、存储组织结构 128 M x 32、最小工作温度 - 25 C。
半导体 > Memory ICs > DRAM技术资料参考
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Winbond
主要参数包括最大时钟频率 800 MHz、存储容量 4 Gbit、类型 SDRAM Mobile - LPDDR3、数据总线宽度 32 位、存储组织结构 128 M x 32、最小工作温度 - 25 C。
半导体 > Memory ICs > DRAMWinbond
主要参数包括最大时钟频率 800 MHz、存储容量 4 Gbit、类型 SDRAM Mobile - LPDDR3、数据总线宽度 32 位、存储组织结构 128 M x 32、最小工作温度 - 20 C。
半导体 > Memory ICs > DRAM