TIP112G
ON Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、最大集电极－发射极电压（VCEO） 100 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－基极电压（VCBO） 100 V、最大直流集电极电流 2 A，采用 TO-220-3 封装。
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该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、最大集电极－发射极电压（VCEO） 100 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－基极电压（VCBO） 100 V、最大直流集电极电流 2 A，采用 TO-220-3 封装。
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