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Toshiba Memory
主要参数包括存储容量 32 GB、接口类型 Parallel、存储器类型 NAND、最小工作温度 - 25 C、最大工作温度 + 85 C、产品 NAND Flash,采用 FBGA-153 封装。
半导体 > Memory ICs > NAND Flash技术资料参考
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Toshiba Memory
主要参数包括存储容量 32 GB、接口类型 Parallel、存储器类型 NAND、最小工作温度 - 25 C、最大工作温度 + 85 C、产品 NAND Flash,采用 FBGA-153 封装。
半导体 > Memory ICs > NAND Flash