STLD1
STMicroelectronics
主要参数包括通道数 2 个通道、工作电源电压 8～18 V、电源电压（最大值） 18 V、电源电压（最小值） 8 V、类型 Power-Line Communication、最小工作温度 - 40 C，采用 QFN-24 封装。
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芯片技术资料
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STLD125N4F6AG
STMicroelectronics
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 40 V、连续漏极电流（Id） 120 A，采用 PowerFLAT-5x6-8 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETSTLD126N4F6AG
STMicroelectronics
主要参数包括技术 Si、认证等级 AEC-Q100。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETsSTLD128DNT4
STMicroelectronics
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 400 V、发射极－基极电压（VEBO） 18 V、最大直流集电极电流 6 A、最小工作温度 - 65 C，采用 DPAK-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTSTLD1TR
STMicroelectronics
主要参数包括通道数 2 个通道、工作电源电压 8～18 V、电源电压（最大值） 18 V、电源电压（最小值） 8 V、类型 Power-Line Communication、最小工作温度 - 40 C，采用 QFN-24 封装。
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