STMicroelectronics
STLD128DNT4
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 400 V、发射极－基极电压（VEBO） 18 V、最大直流集电极电流 6 A、最小工作温度 - 65 C，采用 DPAK-3 封装。
基本资料
查看数据手册 ↗- 品牌 / 制造商
- STMicroelectronics
- 产品类别
- 晶体管
- 产品系列
- STL128DN
- 封装
- DPAK-3
- 安装方式
- 表面贴装（SMD/SMT）
- 包装方式
- 剪切带
- RoHS
- 符合（来源记录）
技术参数
14 项参数- 晶体管极性
- NPN
- 配置
- Single
- 最大集电极－发射极电压（VCEO）
- 400 V
- 发射极－基极电压（VEBO）
- 18 V
- 最大直流集电极电流
- 6 A
- 工作温度范围
- -65～150 °C
- 最大直流电流增益（hFE）
- 10
- 高度
- 2.4 mm
- 长度
- 6.2 mm
- 宽度
- 6.6 mm
- 连续集电极电流
- 3 A
- 最小直流电流增益（hfe）
- 8
展开更多参数（2 项）
- 耗散功率（Pd）
- 20 W
- 单件重量
- 0.009185 oz
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。