STGB25N40LZAG
STMicroelectronics
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、最大集电极－发射极电压（VCEO） 400 V、集电极－发射极饱和电压 1.25 V、最大栅射电压 16 V、25°C 时连续集电极电流 25 A、耗散功率（Pd） 150 W，采用 D2PAK-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > IGBT Transistors搜索结果
技术资料参考
芯片技术资料
型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
查看技术资料