STMicroelectronics
STGB25N40LZAG
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、最大集电极－发射极电压（VCEO） 400 V、集电极－发射极饱和电压 1.25 V、最大栅射电压 16 V、25°C 时连续集电极电流 25 A、耗散功率（Pd） 150 W，采用 D2PAK-3 封装。
基本资料
查看数据手册 ↗- 品牌 / 制造商
- STMicroelectronics
- 产品类别
- 晶体管
- 产品系列
- STGB25N40LZAG
- 封装
- D2PAK-3
- 安装方式
- 表面贴装（SMD/SMT）
- RoHS
- 符合（来源记录）
技术参数
10 项参数- 技术
- Si
- 最大集电极－发射极电压（VCEO）
- 400 V
- 集电极－发射极饱和电压
- 1.25 V
- 最大栅射电压
- 16 V
- 25°C 时连续集电极电流
- 25 A
- 耗散功率（Pd）
- 150 W
- 工作温度范围
- -55～175 °C
- 认证等级
- AEC-Q101
- 最大连续集电极电流（Ic）
- 25 A
- 栅射漏电流
- 625 uA
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。