SMP5020TR
InterFET
主要参数包括技术 Si、晶体管极性 P-Channel、配置 Single、漏源击穿电压（Vds） 25 V、栅源击穿电压（Vgs） 1.5 V、栅源电压为零时的漏源电流 - 1.2 mA，采用 SOT-23-3 封装。
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型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
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主要参数包括技术 Si、晶体管极性 P-Channel、配置 Single、漏源击穿电压（Vds） 25 V、栅源击穿电压（Vgs） 1.5 V、栅源电压为零时的漏源电流 - 1.2 mA，采用 SOT-23-3 封装。
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