InterFET
SMP5020TR
主要参数包括技术 Si、晶体管极性 P-Channel、配置 Single、漏源击穿电压（Vds） 25 V、栅源击穿电压（Vgs） 1.5 V、栅源电压为零时的漏源电流 - 1.2 mA，采用 SOT-23-3 封装。
基本资料
查看数据手册 ↗- 品牌 / 制造商
- InterFET
- 产品类别
- JFET
- 封装
- SOT-23-3
- 安装方式
- 表面贴装（SMD/SMT）
- 包装方式
- 卷盘
- RoHS
- 符合（来源记录）
技术参数
7 项参数- 技术
- Si
- 晶体管极性
- P-Channel
- 配置
- Single
- 漏源击穿电压（Vds）
- 25 V
- 栅源击穿电压（Vgs）
- 1.5 V
- 栅源电压为零时的漏源电流
- - 1.2 mA
- 栅源截止电压
- - 1 nA
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。