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Analog Devices Inc.
- REF6033IDGKTTexas Instruments相似型号
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技术资料参考
芯片技术资料
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R3540
Microchip / Microsemi
主要参数包括产品 Rectifiers，采用 DO-203AB-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersR3540
Microchip Technology
主要参数包括产品 Rectifiers，采用 DO-203AB-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersR3540PF
Microchip / Microsemi
主要参数包括产品 Rectifiers，采用 DO-21 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersADR3540WARMZ-R7
Analog Devices
主要参数包括输出电压 4.096 V、输出电流 10 mA、基准类型 Series Precision References、初始精度 0.1 %、温度系数 8 PPM/C、分流电流（最大值） 10 mA，采用 MSOP-8 封装。
半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Voltage ReferencesADR3540WBRMZ-R7
Analog Devices
主要参数包括输出电压 4.096 V、输出电流 10 mA、基准类型 Series Precision References、初始精度 0.1 %、温度系数 5 PPM/C、分流电流（最大值） 10 mA，采用 MSOP-8 封装。
半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Voltage ReferencesIR35401MTRPBF
Infineon Technologies
主要参数包括技术 Si、湿敏性 是、型号别名 SP001527590。
半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Gate DriversMBR3540
GeneSiC Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括工作温度范围 - 55 C to + 150 C、技术 Si、产品 Schottky Diodes、正向电流（If） 35 A、重复反向电压（Vrrm） 40 V、正向电压（Vf） 0.75 V，采用 DO-4 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersMBR3540R
GeneSiC Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括工作温度范围 - 55 C to + 150 C、技术 Si、产品 Schottky Diodes、正向电流（If） 35 A、重复反向电压（Vrrm） 40 V、正向电压（Vf） 0.75 V，采用 DO-4 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & Rectifiers