GeneSiC Semiconductor
MBR3540R
该型号为二极管，主要参数包括工作温度范围 - 55 C to + 150 C、技术 Si、产品 Schottky Diodes、正向电流（If） 35 A、重复反向电压（Vrrm） 40 V、正向电压（Vf） 0.75 V，采用 DO-4 封装。
基本资料
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- GeneSiC Semiconductor
- 产品类别
- 二极管
- 产品系列
- MBR35
- 封装
- DO-4
- 安装方式
- 通孔安装
- 包装方式
- 散装
- RoHS
- 符合（来源记录）
技术参数
10 项参数- 产品
- Schottky Diodes
- 正向电流（If）
- 35 A
- 重复反向电压（Vrrm）
- 40 V
- 正向电压（Vf）
- 0.75 V
- 正向浪涌电流（Ifsm）
- 600 A
- 技术
- Si
- 反向电流（Ir）
- 1 uA
- 工作温度范围
- -55～150 °C
- 工作温度范围
- - 55 C to + 150 C
- 单件重量
- 0.246918 oz
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。