QS8M51HZGTR
ROHM Semiconductor
主要参数包括通道数 2 个通道、技术 Si、晶体管极性 N-Channel, P-Channel、漏源击穿电压（Vds） 100 V、连续漏极电流（Id） 1.5 A, 2 A、漏源导通电阻（Rds On） 325 mOhms, 470 mOhms，采用 TSMT-8 封装。
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