QPD2040D
Qorvo
该型号为射频结型场效应晶体管，主要参数包括技术 GaAs、晶体管类型 pHEMT、增益 13 dB、原产国家或地区 美国、噪声系数（NF） 1.1 dB，采用 0.41 mm x 0.34 mm 封装。
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型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
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该型号为射频结型场效应晶体管，主要参数包括技术 GaAs、晶体管类型 pHEMT、增益 13 dB、原产国家或地区 美国、噪声系数（NF） 1.1 dB，采用 0.41 mm x 0.34 mm 封装。
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