QPD1009
Qorvo
该型号为射频结型场效应晶体管，主要参数包括工作温度范围 - 40 C to + 85 C、工作频率 4 GHz、技术 GaN SiC、晶体管类型 HEMT、增益 24 dB、晶体管极性 N-Channel，采用 QFN-16 封装。
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QPD1009TR7
Qorvo
该型号为氮化镓场效应晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、最大工作频率 4 GHz、最小工作频率 1 GHz、技术 氮化镓（GaN）、类型 GaN RF Transistor、漏源击穿电压（Vds） 145 V，采用 SMD-16 封装。
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