QPD1000
Qorvo
该型号为射频结型场效应晶体管，主要参数包括工作温度范围 - 40 C to + 85 C、工作频率 30 MHz to 1.215 GHz、技术 GaN SiC、晶体管类型 HEMT、增益 19 dB、晶体管极性 N-Channel，采用 QFN-8 封装。
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