QPD0030
Qorvo
该型号为射频结型场效应晶体管，主要参数包括工作频率 DC to 4 GHz、技术 氮化镓（GaN）、增益 21.7 dB、输出功率 45 W、最小工作温度 - 40 C、耗散功率（Pd） 45 W，采用 QFN-20 封装。
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型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
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该型号为射频结型场效应晶体管，主要参数包括工作频率 DC to 4 GHz、技术 氮化镓（GaN）、增益 21.7 dB、输出功率 45 W、最小工作温度 - 40 C、耗散功率（Pd） 45 W，采用 QFN-20 封装。
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