P1087TRInterFET主要参数包括技术 Si、晶体管极性 P-Channel、配置 Single、漏源击穿电压(Vds) - 15 V、栅源击穿电压(Vgs) 30 V、栅源截止电压 5 V,采用 TO-92-3 封装。半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > JFETs查看技术资料