InterFET
P1087TR
主要参数包括技术 Si、晶体管极性 P-Channel、配置 Single、漏源击穿电压（Vds） - 15 V、栅源击穿电压（Vgs） 30 V、栅源截止电压 5 V，采用 TO-92-3 封装。
基本资料
查看数据手册 ↗- 品牌 / 制造商
- InterFET
- 产品类别
- JFETs
- 产品系列
- P108
- 封装
- TO-92-3
- 安装方式
- 通孔安装
- 包装方式
- 卷盘
技术参数
11 项参数- 技术
- Si
- 晶体管极性
- P-Channel
- 配置
- Single
- 漏源击穿电压（Vds）
- - 15 V
- 栅源击穿电压（Vgs）
- 30 V
- 栅源截止电压
- 5 V
- 栅源电压为零时的漏源电流
- - 5 mA
- 连续漏极电流（Id）
- - 3 mA
- 漏源导通电阻（Rds On）
- 150 Ω
- 耗散功率（Pd）
- 360 mW
- 原产国家或地区
- 美国
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。