NXH450B100H4Q2F2PG
onsemi
主要参数包括技术 Si、产品 SiC IGBT Modules、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 1 kV、集电极－发射极饱和电压 1.7 V、25°C 时连续集电极电流 101 A。
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型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
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