NVXR22S90M2SPB
onsemi
主要参数包括技术 碳化硅（SiC）、类型 EliteSiC Power Module、漏源击穿电压（Vds） 900 V、连续漏极电流（Id） 510 A、漏源导通电阻（Rds On） 2.7 mOhms、栅源电压（Vgs） - 8 V, + 22 V，采用 SSDC-39 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFET Modules搜索结果
技术资料参考
芯片技术资料
型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
查看技术资料