NVVR26A120M1WSS
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该型号为半导体器件，主要参数包括技术 碳化硅（SiC）、类型 Power Module、产品 SiC Modules、正向电压（Vf） 3.8 V、栅源电压（Vgs） - 10 V, + 25 V、最小工作温度 - 40 C。
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技术资料参考
芯片技术资料
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