NVG037A12TC
Navitas Semiconductor
该型号为氮化镓场效应晶体管，主要参数包括连续漏极电流（Id） 71 A、漏源导通电阻（Rds On） 3.7 mOhms、栅源电压（Vgs） - 10 V, 7 V、栅源阈值电压（Vgs th） 2.9 V、栅极电荷（Qg） 10 nC、最小工作温度 - 40 C，采用 TOLT-16 封装。
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