Navitas Semiconductor
NVG037A12TC
该型号为氮化镓场效应晶体管，主要参数包括连续漏极电流（Id） 71 A、漏源导通电阻（Rds On） 3.7 mOhms、栅源电压（Vgs） - 10 V, 7 V、栅源阈值电压（Vgs th） 2.9 V、栅极电荷（Qg） 10 nC、最小工作温度 - 40 C，采用 TOLT-16 封装。
基本资料
查看数据手册 ↗- 品牌 / 制造商
- Navitas Semiconductor
- 产品类别
- 氮化镓场效应晶体管
- 产品系列
- GaNFET
- 封装
- TOLT-16
- 安装方式
- 表面贴装（SMD/SMT）
- 包装方式
- 卷盘
技术参数
8 项参数- 连续漏极电流（Id）
- 71 A
- 漏源导通电阻（Rds On）
- 3.7 mOhms
- 栅源电压（Vgs）
- - 10 V, 7 V
- 栅源阈值电压（Vgs th）
- 2.9 V
- 栅极电荷（Qg）
- 10 nC
- 工作温度范围
- -40～150 °C
- 原产国家或地区
- 菲律宾
- 产品
- GaN FET
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。