NVD6415ANT4G
ON Semiconductor
主要参数包括技术 Si、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 100 V、连续漏极电流（Id） 80 A、漏源导通电阻（Rds On） 55 mOhms、最小工作温度 - 55 C，采用 TO-252-3 封装。
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NVD6415ANT4G-VF01
ON Semiconductor
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 100 V、连续漏极电流（Id） 23 A、漏源导通电阻（Rds On） 55 mOhms，采用 DPAK-3 封装。
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