ON Semiconductor
NVD6415ANT4G
主要参数包括技术 Si、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 100 V、连续漏极电流（Id） 80 A、漏源导通电阻（Rds On） 55 mOhms、最小工作温度 - 55 C，采用 TO-252-3 封装。
基本资料
查看数据手册 ↗- 品牌 / 制造商
- ON Semiconductor
- 产品类别
- MOSFET
- 产品系列
- NTD6415AN
- 封装
- TO-252-3
- 安装方式
- 表面贴装（SMD/SMT）
- 包装方式
- 剪切带
- RoHS
- 符合（来源记录）
技术参数
10 项参数- 技术
- Si
- 晶体管极性
- N-Channel
- 漏源击穿电压（Vds）
- 100 V
- 连续漏极电流（Id）
- 80 A
- 漏源导通电阻（Rds On）
- 55 mOhms
- 工作温度范围
- -55～175 °C
- 耗散功率（Pd）
- 83 W
- 认证等级
- AEC-Q101
- 型号别名
- NVD6415ANT4G-VF01
- 单件重量
- 0.139332 oz
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。