NTNS3A67PZT5G
ON Semiconductor
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、栅源阈值电压(Vgs th) 4 V、栅极电荷(Qg) 120 nC、最小工作温度 - 55 C。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFET技术资料参考
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ON Semiconductor
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、栅源阈值电压(Vgs th) 4 V、栅极电荷(Qg) 120 nC、最小工作温度 - 55 C。
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