ON Semiconductor
NTNS3A67PZT5G
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、栅源阈值电压（Vgs th） 4 V、栅极电荷（Qg） 120 nC、最小工作温度 - 55 C。
基本资料
- 品牌 / 制造商
- ON Semiconductor
- 产品类别
- MOSFET
- 产品系列
- NTNS3A67PZ
- 包装方式
- 剪切带
- RoHS
- 符合（来源记录）
技术参数
8 项参数- 技术
- Si
- 通道数
- 1 个通道
- 栅源阈值电压（Vgs th）
- 4 V
- 栅极电荷（Qg）
- 120 nC
- 工作温度范围
- -55～150 °C
- 配置
- Single
- 通道模式
- Enhancement
- 晶体管类型
- 1 N-Channel
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。