NTHL030N120M3S
onsemi
主要参数包括技术 碳化硅（SiC）、漏源击穿电压（Vds） 1.2 kV、漏源导通电阻（Rds On） 30 Ω、商品名称 EliteSiC、原产国家或地区 中国，采用 TO-247-3 封装。
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型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
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