onsemi
NTHL030N120M3S
主要参数包括技术 碳化硅（SiC）、漏源击穿电压（Vds） 1.2 kV、漏源导通电阻（Rds On） 30 Ω、商品名称 EliteSiC、原产国家或地区 中国，采用 TO-247-3 封装。
基本资料
查看数据手册 ↗- 品牌 / 制造商
- onsemi
- 产品类别
- SiC MOSFETs
- 产品系列
- NTHL030N120M3S
- 封装
- TO-247-3
- 安装方式
- 通孔安装
- 包装方式
- 管装
技术参数
5 项参数- 漏源击穿电压（Vds）
- 1.2 kV
- 漏源导通电阻（Rds On）
- 30 Ω
- 商品名称
- EliteSiC
- 原产国家或地区
- 中国
- 技术
- 碳化硅（SiC）
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。