NSVMUN5333DW1T1G
ON Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、配置 Dual、晶体管极性 NPN, PNP、典型输入电阻 4.7 kOhms、最小直流电流增益（hfe） 80、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 SOT-363 封装。
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NSVMUN5333DW1T1G
onsemi
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Dual、晶体管极性 NPN, PNP、典型输入电阻 4.7 kOhms、最小直流电流增益（hfe） 80、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 100 mA，采用 SOT-363 封装。
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