NSVIMD10AMT1G
ON Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括输出电压 0.2 VDC, 4.9 VDC、配置 Dual、晶体管极性 NPN, PNP、典型电阻比 0.01、最小直流电流增益（hfe） 68、连续集电极电流 500 mA，采用 SC-74R-6 封装。
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NSVIMD10AMT1G
onsemi
该型号为晶体管，主要参数包括输出电压 200 mVDC, 4.9 VDC、配置 Dual、晶体管极性 NPN, PNP、典型电阻比 0.01、最小直流电流增益（hfe） 68、连续集电极电流 500 mA，采用 SC-74R-6 封装。
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