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NSVIMD10AMT1G
该型号为晶体管，主要参数包括输出电压 200 mVDC, 4.9 VDC、配置 Dual、晶体管极性 NPN, PNP、典型电阻比 0.01、最小直流电流增益（hfe） 68、连续集电极电流 500 mA，采用 SC-74R-6 封装。
基本资料
查看数据手册 ↗- 品牌 / 制造商
- onsemi
- 产品类别
- 晶体管
- 产品系列
- IMD10AMT1G
- 封装
- SC-74R-6
- 安装方式
- 表面贴装（SMD/SMT）
- 包装方式
- 剪切带
技术参数
13 项参数- 配置
- Dual
- 晶体管极性
- NPN, PNP
- 典型电阻比
- 0.01
- 最小直流电流增益（hfe）
- 68
- 连续集电极电流
- 500 mA
- 耗散功率（Pd）
- 285 mW
- 最大工作温度
- + 150 C
- 原产国家或地区
- 中国
- 发射极－基极电压（VEBO）
- 5 V
- 最大直流集电极电流
- 500 mA
- 输出电压
- 200 mVDC, 4.9 VDC
- 认证等级
- AEC-Q101
展开更多参数（1 项）
- 单件重量
- 0.000474 oz
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。