NSTB1005DXV5T1G
ON Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、集电极－发射极饱和电压 0.25 V、最大直流电流增益（hFE） 80 at 5 mA, 10 V at NPN，采用 SOT-553-5 封装。
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