NJVMJD31CT4G
ON Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、最大集电极－发射极电压（VCEO） 100 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、最小工作温度 - 65 C、最大工作温度 + 150 C、连续集电极电流 3 A，采用 DPAK-3 封装。
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原厂资料
1 条原型号记录
| 原型号 | 制造商 | 资料列出的替代型号 | 公告记录日期 | 资料 |
|---|---|---|---|---|
| NJVMJD31CT4G-VF01 | onsemi |
| 2021-07-07 | 查看资料 |
技术资料参考
芯片技术资料
型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
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NJVMJD31CT4G
onsemi
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、最大集电极－发射极电压（VCEO） 100 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、耗散功率（Pd） 15 W、最小工作温度 - 65 C，采用 DPAK-3 (TO-252-3) 封装。
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ON Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、最大集电极－发射极电压（VCEO） 100 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、最小工作温度 - 65 C、最大工作温度 + 150 C、连续集电极电流 3 A，采用 DPAK-3 封装。
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