NJVMJD127T4G
ON Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、最大集电极－发射极电压（VCEO） 100 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－基极电压（VCBO） 100 V、最大直流集电极电流 8 A。
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原厂资料
1 条原型号记录
| 原型号 | 制造商 | 资料列出的替代型号 | 资料 |
|---|---|---|---|
| NJVMJD127T4G | onsemi |
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技术资料参考
芯片技术资料
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NJVMJD127T4G
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该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、最大集电极－发射极电压（VCEO） 100 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－基极电压（VCBO） 100 V、最大直流集电极电流 8 A。
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