ON Semiconductor
NJVMJD127T4G
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、最大集电极－发射极电压（VCEO） 100 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－基极电压（VCBO） 100 V、最大直流集电极电流 8 A。
基本资料
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- ON Semiconductor
- 产品类别
- 晶体管
- 产品系列
- MJD127
- 包装方式
- 剪切带
- RoHS
- 符合（来源记录）
技术参数
11 项参数- 配置
- Single
- 晶体管极性
- PNP
- 最大集电极－发射极电压（VCEO）
- 100 V
- 发射极－基极电压（VEBO）
- 5 V
- 集电极－基极电压（VCBO）
- 100 V
- 最大直流集电极电流
- 8 A
- 最大集电极截止电流
- 10 uA
- 工作温度范围
- -65～150 °C
- 认证等级
- AEC-Q101
- 最大直流电流增益（hFE）
- 100
- 单件重量
- 0.012378 oz
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。