NIS5112D1R2G
ON Semiconductor
主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压（最大值） 18 V、电源电压（最小值） 9 V、类型 Positive High Voltage、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 175 C，采用 SOIC-8 封装。
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