ON Semiconductor
NIS5112D1R2G
主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压（最大值） 18 V、电源电压（最小值） 9 V、类型 Positive High Voltage、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 175 C，采用 SOIC-8 封装。
基本资料
查看数据手册 ↗- 品牌 / 制造商
- ON Semiconductor
- 产品类别
- Hot Swap Voltage Controllers
- 产品系列
- NIS5112
- 封装
- SOIC-8
- 安装方式
- 表面贴装（SMD/SMT）
- 包装方式
- 剪切带
- RoHS
- 符合（来源记录）
技术参数
6 项参数- 电源电压范围
- 9～18 V
- 通道数
- 1 个通道
- 工作温度范围
- -40～175 °C
- 类型
- Positive High Voltage
- 湿敏性
- 是
- 单件重量
- 0.019048 oz
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。