NFAM5312SCBUT
onsemi
主要参数包括技术 碳化硅（SiC）、类型 Inverter Power Module、组装国家或地区 VN、晶圆制造国家或地区 韩国、原产国家或地区 VN、高度 5.7 mm，采用 DIP-39 封装。
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原厂资料
1 条原型号记录
| 原型号 | 制造商 | 资料列出的替代型号 | 公告记录日期 | 资料 |
|---|---|---|---|---|
| NFAM5812SCBUT | onsemi |
| 2025-07-01 | 查看资料 |
技术资料参考
芯片技术资料
型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
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