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NFAM5312SCBUT
主要参数包括技术 碳化硅（SiC）、类型 Inverter Power Module、组装国家或地区 VN、晶圆制造国家或地区 韩国、原产国家或地区 VN、高度 5.7 mm，采用 DIP-39 封装。
基本资料
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- onsemi
- 产品类别
- Intelligent Power Modules - IPMs
- 产品系列
- NFAM5312SCBUT
- 封装
- DIP-39
- 安装方式
- 通孔安装
- 包装方式
- 管装
技术参数
11 项参数- 组装国家或地区
- VN
- 晶圆制造国家或地区
- 韩国
- 原产国家或地区
- VN
- 高度
- 5.7 mm
- 长度
- 54.6 mm
- 工作温度范围
- -40～175 °C
- 耗散功率（Pd）
- 138 W
- 漏源导通电阻（Rds On）
- 72 mOhms
- 技术
- 碳化硅（SiC）
- 类型
- Inverter Power Module
- 宽度
- 31.1 mm
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。