NFAM5065L4B
ON Semiconductor
主要参数包括工作电源电压 0～400 V、输出电流 50 A、产品 Brushless DC Motor Controllers、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 150 C、输出数 3 Output，采用 DIP-39 封装。
半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Motor / Motion / Ignition Controllers & Drivers搜索结果
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NFAM5065L4B
onsemi
主要参数包括技术 Si、类型 3-Phase、最大集电极－发射极电压（VCEO） 650 V、组装国家或地区 VN、晶圆制造国家或地区 韩国、原产国家或地区 VN，采用 DIP-39 封装。
半导体 > 分立半导体 > Discrete & Power Modules > Intelligent Power Modules - IPMsNFAM5065L4BBA
onsemi
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、类型 Intelligent Power Module、集电极－发射极饱和电压 1.65 V、25°C 时连续集电极电流 50 A、组装国家或地区 VN，采用 DIP-39 封装。
半导体 > 分立半导体 > Discrete & Power Modules > Intelligent Power Modules - IPMsNFAM5065L4BL
onsemi
主要参数包括技术 Si、类型 3-Phase IGBT Inverter、最大集电极－发射极电压（VCEO） 650 V、集电极－发射极饱和电压 650 V、25°C 时连续集电极电流 50 A、原产国家或地区 VN，采用 DIP-39 封装。
半导体 > 分立半导体 > Discrete & Power Modules > Intelligent Power Modules - IPMsNFAM5065L4BT
ON Semiconductor
主要参数包括工作电源电压 0～400 V、输出电流 50 A、产品 Brushless DC Motor Controllers、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 150 C、输出数 3 Output，采用 DIP-39 封装。
半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Motor / Motion / Ignition Controllers & DriversNFAM5065L4BT
onsemi
主要参数包括技术 Si、类型 3-Phase、最大集电极－发射极电压（VCEO） 650 V、组装国家或地区 VN、晶圆制造国家或地区 韩国、原产国家或地区 VN，采用 DIP-39 封装。
半导体 > 分立半导体 > Discrete & Power Modules > Intelligent Power Modules - IPMsNFAM5065L4BTL
onsemi
主要参数包括技术 Si、类型 3-Phase IGBT Inverter、最大集电极－发射极电压（VCEO） 650 V、集电极－发射极饱和电压 650 V、25°C 时连续集电极电流 50 A、组装国家或地区 VN，采用 DIP-39 封装。
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