onsemi
NFAM5065L4BTL
主要参数包括技术 Si、类型 3-Phase IGBT Inverter、最大集电极－发射极电压（VCEO） 650 V、集电极－发射极饱和电压 650 V、25°C 时连续集电极电流 50 A、组装国家或地区 VN，采用 DIP-39 封装。
基本资料
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- onsemi
- 产品类别
- Intelligent Power Modules - IPMs
- 产品系列
- NFAM5065L4BTL
- 封装
- DIP-39
- 安装方式
- 通孔安装
- 包装方式
- 管装
技术参数
10 项参数- 最大集电极－发射极电压（VCEO）
- 650 V
- 集电极－发射极饱和电压
- 650 V
- 25°C 时连续集电极电流
- 50 A
- 组装国家或地区
- VN
- 晶圆制造国家或地区
- 韩国
- 原产国家或地区
- VN
- 工作温度范围
- -40～125 °C
- 耗散功率（Pd）
- 125 W
- 技术
- Si
- 类型
- 3-Phase IGBT Inverter
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。