NCD57081BDR2G
onsemi
主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压(最大值) 20 V、电源电压(最小值) 3.3 V、技术 Si、隔离电压 3750 Vrms、最小工作温度 - 40 C,采用 SOIC-8 封装。
半导体 > Power Management ICs > Galvanically Isolated Gate Drivers技术资料参考
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主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压(最大值) 20 V、电源电压(最小值) 3.3 V、技术 Si、隔离电压 3750 Vrms、最小工作温度 - 40 C,采用 SOIC-8 封装。
半导体 > Power Management ICs > Galvanically Isolated Gate Drivers