MT29F1G08ABBEAM68M3WC1
Micron
主要参数包括存储容量 1 Gbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 1.95 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NAND，采用 Die 封装。
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MT29F1G08ABBEAM68M3WC1L
Micron
主要参数包括存储容量 1 Gbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 1.95 V、定时类型 Asynchronous、存储组织结构 128 M x 8、数据总线宽度 8 位，采用 Die 封装。
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