MSRT10060D
GeneSiC Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括技术 Si、类型 Standard Recovery、反向电压（Vr） 600 V、正向电流（If） 100 A、最小工作温度 - 55 C、最大工作温度 + 150 C，采用 Three Tower 封装。
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