GeneSiC Semiconductor
MSRT10060D
该型号为二极管，主要参数包括技术 Si、类型 Standard Recovery、反向电压（Vr） 600 V、正向电流（If） 100 A、最小工作温度 - 55 C、最大工作温度 + 150 C，采用 Three Tower 封装。
基本资料
查看数据手册 ↗- 制造商
- Navitas Semiconductor
- 品牌
- GeneSiC Semiconductor
- 产品类别
- 二极管
- 产品系列
- MSRT
- 封装
- Three Tower
- 安装方式
- Screw Mount
- 包装方式
- 散装
技术参数
6 项参数- 反向电压（Vr）
- 600 V
- 正向电流（If）
- 100 A
- 类型
- Standard Recovery
- 工作温度范围
- -55～150 °C
- 原产国家或地区
- 中国台湾
- 技术
- Si
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。